巴魯夫BALLUFF磁敏傳感器BMF00AT

霍爾傳感器

依據霍爾效應制成的器件。

霍爾效應：通電的載體在受到垂直于載體平面的外磁場作用時，則載流子受到洛倫茲力的作用， 并有向兩邊聚集的傾向,由于自由電子的聚集(一邊多一邊必然少)從而形成電勢差， 在經過特殊工藝制備的半導體材料這種效應更為顯著。從而形成了霍爾元件。早期的霍爾效應的材料Insb(銻化銦)。為增強對磁場的敏感度,在材料方面半導 體IIIV 元素族都有所應用。近年來，除Insb之外，有硅襯底的，也有砷化鎵的?；魻柶骷捎谄涔ぷ鳈C理的原因都制成全橋路器件，其內阻大約都在 150Ω~500Ω之間。對線性傳感器工作電流大約在2~10mA左右，一般采用恒流供電法。

Balluff氣缸傳感器用于拉桿缸

用于拉桿缸的氣缸傳感器能夠集成到大量應用中。它們以傳統(tǒng)方式用支承角鋼固定在帶系桿和

復式導軌的氣缸上。這種固定方式適合具有任意活塞直徑的常見氣缸型號。

特征：以非接觸方式探測氣缸位置，系桿直徑至17 mm，開關性能可靠，無磨損，

耐臟，固定穩(wěn)妥，安裝快速。

二、常見型號：

Balluff BMF00ML

Balluff BMF0026

Balluff BMF0027

Balluff BMF00LC

Balluff BMF00AT

Balluff BMF00CW

Balluff BMF00AR

Balluff BMF00C4

Balluff BMF00F5

Balluff BMF00J6

Balluff BMF00KM

Balluff BMF0034

Balluff BMF0039

Balluff BMF003U

Balluff BMF003Y

Balluff BMF0040

Balluff BMF0049

Balluff BMF004C

Balluff BMF005A

Balluff BMF005J

霍爾傳感器

依據霍爾效應制成的器件。

霍爾效應：通電的載體在受到垂直于載體平面的外磁場作用時，則載流子受到洛倫茲力的作用， 并有向兩邊聚集的傾向,由于自由電子的聚集(一邊多一邊必然少)從而形成電勢差， 在經過特殊工藝制備的半導體材料這種效應更為顯著。從而形成了霍爾元件。早期的霍爾效應的材料Insb(銻化銦)。為增強對磁場的敏感度,在材料方面半導 體IIIV 元素族都有所應用。近年來，除Insb之外，有硅襯底的，也有砷化鎵的?；魻柶骷捎谄涔ぷ鳈C理的原因都制成全橋路器件，其內阻大約都在 150Ω~500Ω之間。對線性傳感器工作電流大約在2~10mA左右，一般采用恒流供電法。

巴魯夫BALLUFF磁敏傳感器BMF00AT